Page 5 - ChemLife 09
P. 5
SILISYUMUN TAHTI
TEHLIKEDE; GELECEĞIN
ENERJISINI GaN
ŞEKILLENDIRECEK
Dünyanın enerji ihtiyacı Yüksek dayanıklılık isteyen elekt- bölgelerinin nanometre boyut- kent Üniversitesitarafından kuru-
katlanarak artıyor. rikli otomobiller, güneşten elekt- larında olması nedeniyle mevcut lan Aselsan Bilkent Mikro Nano
Elektrik ise enerji rik üreten foto voltaik paneller, ölçüm teknolojilerinin kapasite- Teknolojileri Sanayi ve Ticaret A.Ş.
ihtiyacının en fazla otomobil aydınlatma ekipmanları, leri çerçevesinde, oluşan sıcaklığı (AB-MikroNano) şirketi bünyesin-
de üretilen aygıtlar üzerinde çeşitli
noktasal ölçüde ölçebilen bir sis-
uydular, hızlı trenler, enerji nakil
öne çıktığı, talebin hatları, savunma sanayide kulla- tem olmadığını belirten Dönme- çalışmalar yaptıklarını sözlerine
katlanarak yükseldiği nılan radarlarda kullanılan GaN’ın zer, ‘’Söz konusu sıcaklıklar ölçü- ekliyor;
en önemli kaynaklardan yakın bir gelecekte enerji, bilişim lemese dahi modellenebilir mi?’’
biri. Elektrik enerjisinin ve uzay teknolojileri başta olmak sorusunun cevabını almaya çalış- ‘’Çip üretimi kolay bir işlem değil,
kapsamına giren üzere daha fazla kullanılması ve tıklarını ifade ediyor. Dönmezer, belli bir bilgi birikimi ve yatırım
güç elektroniği ana sanayi alanlarında vazgeçil- Aralık 2017 itibariyle yürütmekte gerektiriyor. Biz bu anlamda Silis-
yum trenini yakalamakta olduk-
mez olması bekleniyor.
olduğu TÜBİTAK 1003 projesi
teknolojisinde kapsamında da, çalışma esna- ça geride kaldık. Ancak Galyum
kullanılan silisyum, Enerjide geleceği şekillendirecek sında nano boyutta yoğunlaşmış Nitrat teknolojisine geçmek için
mikro elektronik bu alanda çalışmalar yürüten bi- ısı bölgeleri yaratan bu aygıtlarda önümüzde hala bir fırsat var. Aygıt
cihazlar pazarını lim insanlarından biri de Boğaziçi ısı iletiminin nasıl olduğunu anla- tasarımında dene yanıl yöntemi
domine eden Üniversitesi Makine Mühendisliği maya çalıştıklarını; bu aygıtların önemli maliyet ve zaman sorun-
malzemelerin başında öğretim üyesi Yrd. Doç. Dr. Nazlı ısınma sorunlarına yönelik model- larına yol açıyor. Şu anda örneğin
dünyada bu tür aygıtları elmas alt
leme ve tasarım boyutunu da ilgi-
Dönmezer. Lisans ve yüksek li-
geliyor. Ancak sansını ODTÜ Makine Mühendis- lendiren çözümler geliştirdiklerini taşlar üzerinde üretmeye çalışı-
günümüzde silisyumun liği’nde tamamlayan; doktorasını ifade ediyor. yorlar çünkü elmasın ısı iletkenli-
yerine yeni nesil ise 2009-2013 tarihlerinde At- ği çok fazla. Ancak bir yandan da
elektronik cihazlarda lanta’da Georgia Institute of Tech- ‘’Bu aygıtlarda ısınma problemi elmas pahalı bir malzeme. Dola-
hem elektrik israfını nology’de yapan Dönmezer, 2017 çok ve sıcaklıkla birlikte perfor- yısıyla elmas kullanımının gerçek-
azaltacak hem de Temmuz ayında Boğaziçi Üniver- manslarında düşüş olabiliyor veya ten olumlu sonuç getireceği ko-
sitesi’nde çalışmaya başladı.
çok daha erken bozulabiliyorlar;
şulları saptamak çok önemli. Biz
enerjinin daha verimli çiplerin sıcaklıklarını ölçtüğümüz de bu ve benzeri amaçlarla hem
kullanımını sağlayacak Güç teknolojilerinde kullanılmakta daha doğrusu anlayabildiğimiz ısıl hem elektriksel modellemeler
yeni materyallere ve olan GaN tabanlı transistörlerin zaman aygıtların bozulmadan ne yapmaya çalışırken bir yanda da
teknolojilere geçiliyor. (çipler) ısıl davranışlarını ölçümler kadar süre dayanabileceğini de ölçüm konusuna odaklanıyoruz.
Ve silisyumu tahtından ve modellemelerle anlamak üze- anlamış oluyoruz ve hatta aygıt- İleri teknoloji ürünü yüzey analizi,
edecek malzemelerin rine çalışmalar yürüten Dönmezer ların ömrünü uzatabilecek tasa- mikro analiz ve detaylı karakteri-
rımlar geliştirilmesine de yardımcı
ve araştırma grubu, çok yüksek
zasyon yapabilen cihazların mev-
başında da Galyum güç/frekans koşullarında çalışan olabiliyoruz.” cut olduğu Boğaziçi Üniversitesi
Nitrat (GaN) geliyor. radarlar veya elektrikli arabalar İleri Teknolojiler AR-GE Merkez
gibi uygulamalarda kullanılan bu Bu kapsamda Aselsan ile ortak Laboratuvarları’nda bu tür ölçüm-
çiplerin güç ile birlikte ortaya çıkan çalışmalara imza attıklarını belir- ler yapıyoruz.’’
ısınma sorunlarının anlaşılabilme- ten Nazlı Dönmezer, Türkiye’de
si için çalışmakta. ilk defa Galyum Nitrat transistör Kaynak : Boğaziçi Üniversitesi
ve entegre devre üretimine 2014
Bahsi geçen çiplerin yoğun ısınma yılında başlayan Aselsan ile Bil-
B I L I MSEL | www.chemlife.com.tr | OCAK - 2018 | 5
